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型号 IPB47N10S-33
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
IPB47N10S-33 PDF
代理商 IPB47N10S-33
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1,000
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 47A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 33 毫欧 @ 33A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 2500pF @ 25V
功率 - 最大 175W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1620 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 IPB47N10S-33-ND
IPB47N10S-33TR
SP000225702
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